INFLUENCE OF REGULAR SURFACE RELIEF ON THE PROPERTIES OF SCHOTTKY DIODES

被引：0

作者：

BELYAKOV, LV

GORYACHEV, DN

SRESELI, OM

机构：

来源：

SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1981年 / 15卷 / 10期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

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页码：1205 / 1206

页数：2

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共 4 条

[1]

BELYAKOV LV, 1976, VINITI29276 DEP PAP

[2] MICROSTRUCTURE AND SCHOTTKY-BARRIER HEIGHT OF IRIDIUM SILICIDES FORMED ON SILICON [J].

OHDOMARI, I ;

KUAN, TS ;

TU, KN .

JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1979, 50 (11) :7020-7029

[3]

SACHENKO AV, 1981, SOV PHYS SEMICOND+, V15, P40

[4]

SACHENKO AV, 1979, 4TH P ALL UN SCH SEM