LOW-PRESSURE CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION OF TITANIUM SILICIDE

被引：22
作者：
TEDROW, PK
ILDEREM, V
REIF, R
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1985年 / 46卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1063/1.95679
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
收藏
页码：189 / 191
页数：3
相关论文
共 5 条
[1]   1 MU-M MOSFET VLSI TECHNOLOGY .7. METAL SILICIDE INTERCONNECTION TECHNOLOGY - FUTURE PERSPECTIVE [J].
CROWDER, BL ;
ZIRINSKY, S .
IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 1979, 26 (04) :369-371
[2]  
KERN W, 1970, RCA REV, V31, P187
[3]   REFRACTORY SILICIDES FOR INTEGRATED-CIRCUITS [J].
MURARKA, SP .
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY, 1980, 17 (04) :775-792
[4]  
MURARKA SP, 1981, SEMICONDUCTOR SILICO, P551
[5]  
SINHA AK, 1982, VLSI SCI TECHNOLOGY, V82, P173
1