PHOTOLUMINESCENCE STUDY OF ACCEPTORS IN SILICON-DOPED GALLIUM-ARSENIDE GROWN BY METALORGANIC CHEMICAL VAPOR-DEPOSITION

被引：9
|
作者：
LIDEIKIS, T
TREIDERIS, G
机构：
来源：
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH | 1989年 / 96卷 / 04期
关键词：
D O I：
10.1016/0022-0248(89)90638-6
中图分类号：
O7 [晶体学];
学科分类号：
0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;
摘要：
引用
收藏
页码：790 / 794
页数：5
相关论文
共 50 条
12345