MODELING RAPID THERMAL-DIFFUSION OF ARSENIC AND BORON IN SILICON

被引：139

作者：

FAIR, RB ^{[1
]}

WORTMAN, JJ ^{[1
]}

LIU, J ^{[1
]}

机构：

[1] N CAROLINA STATE UNIV,DEPT ELECT ENGN,RALEIGH,NC 27650

来源：

关键词：

D O I：

10.1149/1.2115263

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

页码：2387 / 2394

页数：8

共 21 条

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