共 3 条
- [1] CHWANG R, 1983, FEB ISSCC, P56
- [2] FUJII T, 1983, FEB ISSCC, P226
- [3] KONISHI S, 1982, FEB ISSCC, P258
A SUB 100NS 256K DRAM IN CMOS-III TECHNOLOGY
被引：0
作者：
KUNG, RI
MOHSEN, AM
SCHUTZ, JD
MADLAND, PD
WEBB, CC
HAMDY, ER
SIMONSEN, CJ
GUO, RT
YU, KK
CHOU, S
机构：
来源：
ISSCC DIGEST OF TECHNICAL PAPERS
|
1984年
/
27卷
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
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页码：278 / &
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