THE LOW-TEMPERATURE REACTIVITY OF SI(100) WITH NH3 AND NO - RATE DETERMINING STEPS AND RATE ENHANCEMENT VIA ELECTRONIC EXCITATIONS

被引：1
作者：
BOZSO, F
AVOURIS, P
机构：
来源：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS | 1987年 / 5卷 / 04期
关键词：
D O I：
10.1116/1.574356
中图分类号：
TB3 [工程材料学];
学科分类号：
0805 ; 080502 ;
摘要：
引用
收藏
页码：818 / 819
页数：2
相关论文
共 3 条
[1]   REACTION OF SI(100) WITH NH3 - RATE-LIMITING STEPS AND REACTIVITY ENHANCEMENT VIA ELECTRONIC EXCITATION [J].
BOZSO, F ;
AVOURIS, P .
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 1986, 57 (09) :1185-1188
[2]  
WHITE CW, 1980, LASER ELECTRON BEAM
[3]  
YAMAMURA Y, 1985, NANOMETER STRUCTURE
1