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THE DOPING OF SILICON WITH BORON BY RAPID THERMAL-PROCESSING
被引:3
作者
:
DESOUZA, JP
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DESOUZA, JP
HASENACK, CM
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HASENACK, CM
SWART, JE
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SWART, JE
机构
:
来源
:
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY
|
1988年
/ 3卷
/ 04期
关键词
:
D O I
:
10.1088/0268-1242/3/4/001
中图分类号
:
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
:
0808 ;
0809 ;
摘要
:
引用
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页码:277 / 280
页数:4
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