OXIDE-PASSIVATED SILICON P-N JUNCTION PARTICLE DETECTORS

被引：21
作者：
HANSEN, WL
GOULDING, FS
机构：
来源：
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS | 1964年 / 29卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1016/0029-554X(64)90394-5
中图分类号：
TH7 [仪器、仪表];
学科分类号：
0804 ; 080401 ; 081102 ;
摘要：
引用
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页码：345 / 347
页数：3
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共 4 条
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ATALLA, MM ;
TANNENBAUM, E ;
SCHEIBNER, EJ .
BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, 1959, 38 (03) :749-783
[2]   LEAKAGE CURRENT IN SEMICONDUCTOR JUNCTION RADIATION DETECTORS AND ITS INFLUENCE ON ENERGY-RESOLUTION CHARACTERISTICS [J].
GOULDING, FS ;
HANSEN, WL .
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS, 1961, 12 (02) :249-262
[3]  
TERMAN LM, 1961, 16551 STANF EL LAB T
[4]  
1963, J APPL PHYS, V34, P1570
1