NEW MODEL FOR BORON-DIFFUSION IN SILICON

被引：15

作者：

ANDERSON, JR ^{[1
]}

GIBBONS, JF ^{[1
]}

机构：

[1] STANFORD ELECTR LABS,STANFORD,CA 94305

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.88717

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：184 / 186

页数：3

共 11 条

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