THE EFFECT OF STRESS ON THE REDISTRIBUTION OF IMPLANTED IMPURITIES IN GAAS

被引：0

作者：

BLAAUW, C ^{[1
]}

机构：

[1] BELL NO RES,OTTAWA K1Y 4H7,ONTARIO,CANADA

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1984年 / 131卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1149/1.2148652

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：2453 / 2454

页数：2

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