TUNNELLING THROUGH VERY LOW BARRIERS

被引：11

作者：

GUERET, P ^{[1
]}

KAUFMANN, U ^{[1
]}

MARCLAY, E ^{[1
]}

机构：

[1] SWISS FED INST TECHNOL,INST MICROELECTR,CH-1015 LAUSANNE,SWITZERLAND

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19850243

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：344 / 346

页数：3

共 5 条

[1] TUNNELLING THROUGH GAAS-ALXGA1-XAS-GAAS DOUBLE HETEROJUNCTIONS [J].

DELAGEBEAUDEUF, D ;

DELESCLUSE, P ;

ETIENNE, P ;

MASSIES, J ;

LAVIRON, M ;

CHAPLART, J ;

LINH, T .

[2]

Duke C B, 1969, TUNNELLING SOLIDS

HASE, I ;

KAWAI, H ;

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GOSSARD, AC .

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