UTILIZATION COEFFICIENT OF IMPLANTED IMPURITIES IN SILICON LAYERS SUBJECTED TO SUBSEQUENT LASER ANNEALING

被引：0

作者：

KHAIBULLIN, IB ^{[1
]}

SHTYRKOV, EI ^{[1
]}

ZARIPOV, MM ^{[1
]}

GALYAUTDINOV, MF ^{[1
]}

ZAKIROV, GG ^{[1
]}

机构：

[1] ACAD SCI USSR, PHYS TECH INST, KAZAN, USSR

来源：

SOVIET PHYSICS SEMICONDUCTORS-USSR | 1977年 / 11卷 / 02期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O469 [凝聚态物理学];

学科分类号：

070205 ;

摘要：

引用

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页数：3