REALIZATION AND ELECTRICAL-PROPERTIES OF A MONOLITHIC METAL-BASE TRANSISTOR - THE SI/COSI2/SI STRUCTURE

被引：28

作者：

ROSENCHER, E

DELAGE, S

DAVITAYA, FA

DANTERROCHES, C

BELHADDAD, K

PFISTER, JC

机构：

来源：

PHYSICA B & C | 1985年 / 134卷 / 1-3期

关键词：

D O I：

10.1016/0378-4363(85)90328-6

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：106 / 110

页数：5

共 13 条

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