EFFECT OF OXYGEN IMPURITY ON RADIATION EMISSION OF BOUND EXCITONS IN SILICON

被引：0
作者：
LOPATIN, AB
POKROVSKY, YE
机构：
来源：
ZHURNAL EKSPERIMENTALNOI I TEORETICHESKOI FIZIKI | 1984年 / 87卷 / 04期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
摘要：
引用
收藏
页码：1381 / 1383
页数：3
相关论文
共 5 条
[1]  
ALEKSANDROVA GI, 1979, METROLOGIYA, V9, P56
[2]  
BARANSKII PI, 1975, POLUPROVODNIKOVAYA E, P242
[3]   INTERSTITIAL VERSUS SUBSTITUTIONAL OXYGEN IN SILICON [J].
BOND, WL ;
KAISER, W .
JOURNAL OF PHYSICS AND CHEMISTRY OF SOLIDS, 1960, 16 (1-2) :44-45
[4]  
Kaminski A. S., 1981, Pis'ma v Zhurnal Eksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki, V33, P141
[5]  
KAMINSKY AS, 1980, ZH EKSP TEOR FIZ+, V79, P422
1