EFFECTS OF SUBSTRATE TEMPERATURES ON THE DOPING PROFILES OF SI IN SELECTIVELY DOPED ALGAAS/GAAS/ALGAAS DOUBLE-HETEROJUNCTION STRUCTURES

被引：53

作者：

INOUE, K ^{[1
]}

SAKAKI, H ^{[1
]}

YOSHINO, J ^{[1
]}

YOSHIOKA, Y ^{[1
]}

机构：

[1] MATSUSHITA TECHNORES INC,MORIGUCHI,OSAKA 570,JAPAN

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1985年 / 46卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1063/1.95785

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页码：973 / 975

页数：3

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共 12 条

[11] IMPURITY TRAPPING, INTERFACE STRUCTURE, AND LUMINESCENCE OF GAAS QUANTUM WELLS GROWN BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY [J].

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APPLIED PHYSICS LETTERS, 1984, 44 (02) :217-219

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