OXYGEN PRECIPITATION EFFECTS ON SI-N+-P JUNCTION LEAKAGE BEHAVIOR

被引：33
作者：
CHAKRAVARTI, SN
GARBARINO, PL
MURTY, K
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1982年 / 40卷 / 07期
关键词：
D O I：
10.1063/1.93187
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
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页码：581 / 583
页数：3
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