QUENCHED-IN DEFECTS IN LASER ANNEALED SILICON

被引：15
作者：
FAN, ZK
HO, VQ
SUGANO, T
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1982年 / 40卷 / 05期
关键词：
D O I：
10.1063/1.93124
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
引用
收藏
页码：418 / 420
页数：3
相关论文
共 6 条
[1]  
ASADA K, UNPUB
[2]  
KIMERLING LC, 1980, LASER ELECTRON BEAM, P385
[3]   DEEP-LEVEL TRANSIENT SPECTROSCOPY - NEW METHOD TO CHARACTERIZE TRAPS IN SEMICONDUCTORS [J].
LANG, DV .
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 1974, 45 (07) :3023-3032
[4]   CALCULATION OF THE DYNAMICS OF SURFACE MELTING DURING LASER ANNEALING [J].
SURKO, CM ;
SIMONS, AL ;
AUSTON, DH ;
GOLOVCHENKO, JA ;
SLUSHER, RE ;
VENKATESAN, TNC .
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1979, 34 (10) :635-637
[5]  
WANG KL, 1978, J ELECTROCHEM SOC, V25, P1664
[6]  
WOOD RF, 1980, LASER ELECTRON BEAM, P37
1