EPITAXIAL-GROWTH OF SILICON AND GERMANIUM FILMS ON CAF2/SI

被引：18

作者：

BARKAI, M ^{[1
]}

LEREAH, Y ^{[1
]}

GRUNBAUM, E ^{[1
]}

DEUTSCHER, G ^{[1
]}

机构：

[1] TEL AVIV UNIV,FAC EXACT SCI,SCH PHYS & ASTRON,IL-69978 TEL AVIV,ISRAEL

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0040-6090(86)90058-1

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：287 / 297

页数：11

共 8 条

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