SUBMICROMETER SELF-ALIGNED GAAS MESFET

被引：15

作者：

BAUDET, P ^{[1
]}

BINET, M ^{[1
]}

BOCCONGIBOD, D ^{[1
]}

机构：

[1] LABS ELECTR & APPL PHYS,LIMEIL BREVANNES,FRANCE

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES | 1976年 / 24卷 / 06期

关键词：

D O I：

10.1109/TMTT.1976.1128857

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：372 / 376

页数：5

相关论文

共 5 条

[1]

DOERBECK FH, 1970, 3RD INT S GAAS REL C

[2]

DRIVER MC, 1971, P IEEEE, P1244

[3] METALLIZATION PROCESSES IN FABRICATION OF SCHOTTKY-BARRIER FETS [J].

MIDDELHOEK, S .

IBM JOURNAL OF RESEARCH AND DEVELOPMENT, 1970, 14 (02) :148-+

[4] SILICON AND SILICON-DIOXIDE PROCESSING FOR HIGH-FREQUENCY MESFET PREPARATION [J].

MOHR, TO .

IBM JOURNAL OF RESEARCH AND DEVELOPMENT, 1970, 14 (02) :142-&

[5]

SZE SM, 1966, SSE, V9, P1035