HEAVY-ION INDUCED UPSETS IN SEMICONDUCTOR-DEVICES

被引：17

作者：

KOGA, R

KOLASINSKI, WA

IMAMOTO, S

机构：

来源：

IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE | 1985年 / 32卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1109/TNS.1985.4336812

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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页码：159 / 162

页数：4

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共 2 条

[1] KOGA R, 1984, IEEE T NUC SCI, V31
[2] SHAPIRO P, 1982, NRL4864 MEM REP