THE GROWTH AND CHARACTERIZATION OF GE AND GAAS EPITAXIAL LAYERS ON SI SUBSTRATES

被引：0

作者：

AWAL, MA

LEE, EH

CHAN, EY

SHENG, TT

CELLER, GK

机构：

[1] AT&T ENGN RES CTR,PRINCETON,NJ 08540

[2] AT&T BELL LABS,MURRAY HILL,NJ 07974

来源：

JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS | 1986年 / 15卷 / 05期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

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