ISOELECTRONIC TRAPS DUE TO NITROGEN IN GALLIUM PHOSPHIDE

被引：272
作者：
THOMAS, DG
HOPFIELD, JJ
FROSCH, CJ
机构：
来源：
PHYSICAL REVIEW LETTERS | 1965年 / 15卷 / 22期
关键词：
D O I：
10.1103/PhysRevLett.15.857
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
摘要：
引用
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页码：857 / &
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共 4 条
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