共 1 条
- [1] MINORITY CARRIER INJECTION AND CHARGE STORAGE IN EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODES[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS, 1965, 8 (03) : 299 - +SCHARFETTER, DL
P-N-P-N SWITCHING PERFORMANCE OF N-P-N TRANSISTORS IN INTEGRATED-CIRCUITS
被引：1
作者：
NISHIMOTO, Y
[1
]
机构：
[1] FUJITSU LTD,DEVICE ENGN DEPT,KOBE,JAPAN
关键词：
D O I：
10.1109/PROC.1975.9812
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
摘要：
引用
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页码：723 / 724
页数：2
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