MILLIMETER-WAVE IMPATT DIODES WITH IMPROVED EFFICIENCY BY USING ION-IMPLANTED OHMIC CONTACT

被引：1

作者：

HIRACHI, Y ^{[1
]}

NISHI, H ^{[1
]}

SHINODA, M ^{[1
]}

FUKUKAWA, Y ^{[1
]}

机构：

[1] FUJITSU LABS LTD,1015 KAMIKODANAKA,NAKAHARA,JAPAN

来源：

PROCEEDINGS OF THE IEEE | 1975年 / 63卷 / 09期

关键词：

D O I：

10.1109/PROC.1975.9953

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

收藏

页码：1367 / 1368

页数：2

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共 3 条

[1]

Nelson R. S., 1969, Radiation Effects, V2, P47, DOI 10.1080/00337576908235579

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4699232