INTERFACE STATES IN ABRUPT SEMICONDUCTOR HETEROJUNCTIONS

被引：198
作者：
OLDHAM, WG
MILNES, AG
机构：
来源：
SOLID-STATE ELECTRONICS | 1964年 / 7卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1016/0038-1101(64)90140-6
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：153 / 165
页数：13
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