ION-BEAM MIXING OF PT GAAS AND FORMATION OF OHMIC CONTACTS

被引：16

作者：

TSUTSUI, K

FURUKAWA, S

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.333948

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：560 / 562

页数：3

共 7 条

[1] CONTACT RESISTANCE AND CONTACT RESISTIVITY [J].

BERGER, HH .

[2] REACTION-RATES FOR PT ON GAAS [J].

COLEMAN, DJ ;

WISSEMAN, WR ;

SHAW, DW .

[3]

Nagasawa E., 1982, 1982 Symposium on VLSI Technology. Digest of Papers, P26

[4]

SHINHA AK, 1973, APPL PHYS LETT, V23, P666

[5]

TOYODA N, 1982, I PHYS C SER, V63, P521

[6]

TSAUR BY, 1980, P S THIN FILM INTERF, V80, P205

[7]

YEO YK, 1979, APPL PHYS LETT, V32, P197