HIGH ELECTRIC-FIELD EFFECT ON NEGATIVE MAGNETORESISTANCE IN SI (001) N-INVERSION LAYERS

被引：1
作者：
KAWAGUCHI, Y [1 ]
KAWAJI, S [1 ]
机构：
[1] GAKUSHUIN UNIV,DEPT PHYS,TOSHIMA KU,TOKYO 171,JAPAN
来源：
PHYSICA B & C | 1983年 / 117卷 / MAR期
关键词：
D O I：
10.1016/0378-4363(83)90617-4
中图分类号：
O4 [物理学];
学科分类号：
0702 ;
摘要：
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页数：3
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