EFFECTS OF SPUTTERING DAMAGE ON CHARACTERISTICS OF MOLYBDENUM-SILICON SCHOTTKY-BARRIER DIODES

被引：120

作者：

MULLINS, FH ^{[1
]}

BRUNNSCHWEILER, A ^{[1
]}

机构：

[1] UNIV SOUTHAMPTON,DEPT ELECTR,SOUTHAMPTON SO9 5NH,ENGLAND

来源：

SOLID-STATE ELECTRONICS | 1976年 / 19卷 / 01期

关键词：

D O I：

10.1016/0038-1101(76)90132-5

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

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页码：47 / 50

页数：4

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共 3 条

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