FAST AND NONDESTRUCTIVE METHOD OF C(V) PROFILING OF THIN SEMICONDUCTOR LAYERS ON AN INSULATING SUBSTRATE

被引：13
作者：
BINET, M
机构：
[1] LAB ELECTR,3 AVE DESCARTES,94450 LIMEIL BREVANNES,FRANCE
[2] LAB PHYS APPL,94450 LIMEIL BREVANNES,FRANCE
来源：
ELECTRONICS LETTERS | 1975年 / 11卷 / 24期
关键词：
D O I：
10.1049/el:19750444
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
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页码：580 / 581
页数：2
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共 4 条
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