A NUMERICAL APPROACH TO MODELING THE ULTRASHORT-GATE MESFET

被引：12

作者：

HIGGINS, JA ^{[1
]}

PATTANAYAK, DN ^{[1
]}

机构：

[1] ROCKWELL INT,MICROELECTR RES & DEV,ANAHEIM,CA 92803

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1982.20680

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：179 / 183

页数：5

共 10 条

[1]

BREWITTTAYLOR CR, 1979, 1 P NASECODE C DUBL, P191

[2]

Frey J., 1980, International Electron Devices Meeting. Technical Digest, P613

FREY, J .

[4]

HIGGINS JA, 1980, IEEE T ELECTRON DEV, V27, P1066, DOI 10.1109/T-ED.1980.19988

[5]

HUANG C, 1981 IEEE MTT S DIG, P25

[6] HOT-ELECTRON RELAXATION EFFECTS IN DEVICES [J].

KROEMER, H .

MALONEY, TJ ;

FREY, J .

[8]

MOLL JL, 1964, PHYSICS SEMICONDUCTO, P136

[9]

Pattanayak D. N., 1980, International Electron Devices Meeting. Technical Digest, P260

[10]

WASSERSTROM E, 1970, BELL SYST TECH J MAY