EMITTER-BASE BANDGAP GRADING EFFECTS ON GAALAS/GAAS HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS

被引：1

作者：

YOSHIDA, J ^{[1
]}

KURATA, M ^{[1
]}

OBARA, M ^{[1
]}

MORIZUKA, K ^{[1
]}

MASHITA, M ^{[1
]}

HOJO, A ^{[1
]}

机构：

[1] TOSHIBA CORP, TOSHIBA RES & DEV CTR, SAIWAI KU, KAWASAKI 210, JAPAN

来源：

关键词：

D O I：

10.1109/T-ED.1984.21873

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：1979 / 1979

页数：1