EFFECTS OF STRAIN ON BORON-DIFFUSION IN SI AND SI1-XGEX (VOL 66, PG 580, 1995)

被引：1

作者：

KUO, P ^{[1
]}

HOYT, JL ^{[1
]}

GIBBONS, JF ^{[1
]}

TURNER, JE ^{[1
]}

LEFFORGE, D ^{[1
]}

机构：

[1] HEWLETT PACKARD CORP,PALO ALTO,CA 94303

来源：

APPLIED PHYSICS LETTERS | 1995年 / 66卷 / 10期

关键词：

D O I：

10.1063/1.114224

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

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页数：1

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共 1 条

[1] EFFECTS OF STRAIN ON BORON-DIFFUSION IN SI AND SI1-XGEX [J].

KUO, P ;

HOYT, JL ;

GIBBONS, JF ;

TURNER, JE ;

LEFFORGE, D .

APPLIED PHYSICS LETTERS, 1995, 66 (05) :580-582