DEEP DEPLETED SOI MOSFETS WITH BACK POTENTIAL CONTROL - A NUMERICAL-SIMULATION

被引：23
作者：
BALESTRA, F
BRINI, J
GENTIL, P
机构：
[1] CNRS, Lab de Physique des Composants, a Semiconducteurs, Grenoble, Fr, CNRS, Lab de Physique des Composants a Semiconducteurs, Grenoble, Fr
来源：
SOLID-STATE ELECTRONICS | 1985年 / 28卷 / 10期
关键词：
D O I：
10.1016/0038-1101(85)90035-8
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
SEMICONDUCTOR DEVICES, MOSFET
引用
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页码：1031 / 1037
页数：7
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