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RAPID ISOTHERMAL ANNEALING OF ION-IMPLANTED POLYSILICON FILMS
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作者
:
GREGORY, RB
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机构:
MOTOROLA INC,SEMICOND RES & DEV LABS,PHOENIX,AZ 85008
GREGORY, RB
WILSON, SR
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MOTOROLA INC,SEMICOND RES & DEV LABS,PHOENIX,AZ 85008
WILSON, SR
PAULSON, WM
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PAULSON, WM
KRAUSE, S
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HAMDI, AH
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GRESSETT, JD
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MCDANIEL, FD
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机构:
MOTOROLA INC,SEMICOND RES & DEV LABS,PHOENIX,AZ 85008
MCDANIEL, FD
机构
:
[1]
MOTOROLA INC,SEMICOND RES & DEV LABS,PHOENIX,AZ 85008
[2]
ARIZONA STATE UNIV,DEPT ELECT ENGN,TEMPE,AZ 85281
[3]
N TEXAS STATE UNIV,DEPT PHYS,DENTON,TX 76203
来源
:
JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
|
1983年
/ 130卷
/ 11期
关键词
:
D O I
:
暂无
中图分类号
:
O646 [电化学、电解、磁化学];
学科分类号
:
081704 ;
摘要
:
引用
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页码:C442 / C442
页数:1
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