EFFECT OF ELECTRIC-FIELD ON HOLE CAPTURE IN SILICON MOS STRUCTURES

被引：0
作者：
AKULOV, AF
AFANAS'EV, VV
机构：
来源：
PISMA V ZHURNAL TEKHNICHESKOI FIZIKI | 1992年 / 18卷 / 19期
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
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