SELECTIVE ETCHING AND EPITAXIAL REFILLING OF SILICON WELLS IN SYSTEM SIH4-HC-H2

被引：15

作者：

DRUMINSKI, M ^{[1
]}

GESSNER, R ^{[1
]}

机构：

[1] SIEMENS AG,RES LABS,BALAN STR 73,D-8000 MUNICH,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.1016/0022-0248(75)90146-3

中图分类号：

O7 [晶体学];

学科分类号：

0702 ; 070205 ; 0703 ; 080501 ;

摘要：

引用

页码：312 / 316

页数：5

共 7 条

[1]

ALEXANDER EG, 1966, T METALL SOC AIME, V236, P284

DRUMINSKI, M ;

SCHLOTTERER, H .

[3] SELECTIVE EPITAXIAL DEPOSITION OF SILICON [J].

JOYCE, BD ;

BALDREY, JA .

[4]

RAETZEL C, 1974, ECS M NEW YORK

[5]

SCHNABLE GL, 1966, ELECTROCHEM TECHNOL, V4, P485

[6]

Sirtl E., 1969, Semiconductor silicon, P189

[7] EPITAXIAL SILICON FILMS BY THE HYDROGEN REDUCTION OF SIC1 [J].

THEUERER, HC .