V-SHAPED-GATE GAAS MESFET FOR IMPROVED HIGH-FREQUENCY PERFORMANCE

被引：13

作者：

KOHN, E ^{[1
]}

机构：

[1] RWTH,INST HALBLEITERTECH,TEMPLERGRABEN 55,51 AACHEN,FED REP GER

来源：

关键词：

D O I：

10.1049/el:19750122

中图分类号：

TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];

学科分类号：

0808 ; 0809 ;

摘要：

引用

页码：160 / 160

页数：1

共 6 条

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