DEPTH PROFILING OF PLASMA ANODIZED SIO2/SI INTERFACE STRUCTURES BY USING X-RAY PHOTOELECTRON-SPECTROSCOPY

被引：3
作者：
SUDA, K
HATTORI, T
机构：
来源：
SURFACE SCIENCE | 1986年 / 168卷 / 1-3期
关键词：
D O I：
10.1016/0039-6028(86)90896-4
中图分类号：
O64 [物理化学（理论化学）、化学物理学];
学科分类号：
070304 ; 081704 ;
摘要：
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页码：652 / 656
页数：5
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共 7 条
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