SILICON-NITRIDE STENCIL MASKS FOR HIGH-RESOLUTION ION LITHOGRAPHY PROXIMITY PRINTING

被引：26
作者：
RANDALL, JN
FLANDERS, DC
ECONOMOU, NP
DONNELLY, JP
BROMLEY, EI
机构：
来源：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B | 1983年 / 1卷 / 04期
关键词：
D O I：
10.1116/1.582655
中图分类号：
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ; 0809 ;
摘要：
引用
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页码：1152 / 1155
页数：4
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