BIPOLAR INTEGRATED-CIRCUITS FABRICATED BY LOW-PRESSURE SELECTIVE SILICON EPITAXY

被引：0

作者：

HINE, S ^{[1
]}

HIRAO, T ^{[1
]}

TSUBOUCHI, N ^{[1
]}

机构：

[1] MITSUBISHI ELECT CORP,LSI RES & DEV LAB,ITAMI,HYOGO 664,JAPAN

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1983年 / 130卷 / 08期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：C327 / C327

页数：1

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