SELECTIVE AREA GROWTH OF INP INGAAS MULTIPLE QUANTUM WELL LASER STRUCTURES BY METALORGANIC MOLECULAR-BEAM EPITAXY

被引：38
作者：
ANDREWS, DA
REJMANGREENE, MAZ
WAKEFIELD, B
DAVIES, GJ
机构：
来源：
APPLIED PHYSICS LETTERS | 1988年 / 53卷 / 02期
关键词：
D O I：
10.1063/1.100360
中图分类号：
O59 [应用物理学];
学科分类号：
摘要：
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共 3 条
[1]  
ANDREWS DL, UNPUB
[2]   SELECTIVE EPITAXIAL-GROWTH OF GALLIUM-ARSENIDE BY MOLECULAR-BEAM EPITAXY [J].
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