SIMPLE MODEL OF MULTIPLE CHARGE STATES OF TRANSITION-METAL IMPURITIES IN SEMICONDUCTORS

被引：328
作者：
HALDANE, FDM
ANDERSON, PW
机构：
[1] CAVENDISH LAB,CAMBRIDGE,ENGLAND
[2] BELL TEL LABS INC,MURRAY HILL,NJ 07974
来源：
PHYSICAL REVIEW B | 1976年 / 13卷 / 06期
关键词：
D O I：
10.1103/PhysRevB.13.2553
中图分类号：
T [工业技术];
学科分类号：
08 ;
摘要：
引用
收藏
页码：2553 / 2559
页数：7
相关论文
共 4 条
[1]   LOCALIZED MAGNETIC STATES IN METALS [J].
ANDERSON, PW .
PHYSICAL REVIEW, 1961, 124 (01) :41-&
[2]  
ANDERSON PW, 1967, 1966 P INT SCH PHYS, P66
[3]  
LUDWIG GW, 1962, SOLID STATE PHYS, V13, P263
[4]   RESISTIVITY MOBILITY AND IMPURITY LEVELS IN GAAS GE AND SI AT 300 DEGREES K [J].
SZE, SM ;
IRVIN, JC .
SOLID-STATE ELECTRONICS, 1968, 11 (06) :599-&
1