EFFECTIVENESS OF SILICON LOW-PRESSURE VAPOR-PHASE EPITAXY FOR NARROW, HIGHLY DOPED MULTILAYERS

被引：0

作者：

VESCAN, L ^{[1
]}

BREUER, U ^{[1
]}

BENEKING, H ^{[1
]}

机构：

[1] RHEIN WESTFAL TH AACHEN,INST SEMICOND ELECTR,D-5100 AACHEN,FED REP GER

来源：

JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY | 1987年 / 134卷 / 8B期

关键词：

D O I：

暂无

中图分类号：

O646 [电化学、电解、磁化学];

学科分类号：

081704 ;

摘要：

引用

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页码：C547 / C547

页数：1

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