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DESIGN AND FABRICATION OF INGAAS/INP AVALANCHE PHOTODIODES FOR THE 1 TO 1.6 MU-M WAVELENGTH REGION
被引：0
作者：
TROMMER, R
机构：
来源：
关键词：
D O I：
暂无
中图分类号：
TM [电工技术];
TN [电子技术、通信技术];
学科分类号：
0808 ;
0809 ;
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页码：212 / 216
页数：5
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