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SIO2 DAMAGE DURING ELECTRON-BEAM ANNEALING
被引:0
作者
:
POLLARD, CF
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0
机构:
BRITISH TELECOMMUN RES LABS,MARTLESHAM HLTH,IPSWICH,SUFFOLK,ENGLAND
BRITISH TELECOMMUN RES LABS,MARTLESHAM HLTH,IPSWICH,SUFFOLK,ENGLAND
POLLARD, CF
[
1
]
GLACCUM, AE
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机构:
BRITISH TELECOMMUN RES LABS,MARTLESHAM HLTH,IPSWICH,SUFFOLK,ENGLAND
BRITISH TELECOMMUN RES LABS,MARTLESHAM HLTH,IPSWICH,SUFFOLK,ENGLAND
GLACCUM, AE
[
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]
SPEIGHT, JD
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机构:
BRITISH TELECOMMUN RES LABS,MARTLESHAM HLTH,IPSWICH,SUFFOLK,ENGLAND
BRITISH TELECOMMUN RES LABS,MARTLESHAM HLTH,IPSWICH,SUFFOLK,ENGLAND
SPEIGHT, JD
[
1
]
机构
:
[1]
BRITISH TELECOMMUN RES LABS,MARTLESHAM HLTH,IPSWICH,SUFFOLK,ENGLAND
来源
:
RADIATION PHYSICS AND CHEMISTRY
|
1983年
/ 22卷
/ 06期
关键词
:
D O I
:
暂无
中图分类号
:
O64 [物理化学(理论化学)、化学物理学];
学科分类号
:
070304 ;
081704 ;
摘要
:
引用
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页码:1050 / 1050
页数:1
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