AVALANCHE BREAKDOWN VOLTAGES OF ABRUPT AND LINEARLY GRADED P-N JUNCTIONS IN GE SI GAAS AND GAP - (DOPANT EFFECTS IMPURITY EFFECTS T)

被引：383

作者：

SZE, SM

GIBBONS, G

机构：

来源：

关键词：

D O I：

10.1063/1.1754511

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：111 / &

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