ELECTRON-ENERGY DISTRIBUTION IN SILICON UNDER PULSED-LASER EXCITATION

被引：11

作者：

BENSOUSSAN, M

MOISON, JM

机构：

来源：

PHYSICAL REVIEW B | 1983年 / 27卷 / 08期

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevB.27.5192

中图分类号：

T [工业技术];

学科分类号：

08 ;

摘要：

引用

页码：5192 / 5195

页数：4

共 16 条

MOISON, JM ;

BARTHE, F ;

BENSOUSSAN, M .

PHYSICAL REVIEW B, 1983, 27 (06) :3611-3619

[12] 2-QUANTUM PHOTOEMISSION YIELD SPECTRUM OF SILICON [J].

MOISON, JM ;

BENSOUSSAN, M .

[13]

SHAH J, 1981, J PHYS C SOLID STATE, V7, P445

[14]

Spicer W. E., 1972, Optical properties of solids, P755

[15]

WILLIAMS RT, 1982, LASER ELECTRON BEAM, V4, P97

[16] DYNAMICS OF DENSE LASER-INDUCED PLASMAS [J].

YOFFA, EJ .