CHEMICAL ETCHING OF GERMANIUM WITH H3PO4-H2O2-H2O SOLUTION

被引：30

作者：

KAGAWA, S

MIKAWA, T

KANEDA, T

机构：

来源：

JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS PART 1-REGULAR PAPERS SHORT NOTES & REVIEW PAPERS | 1982年 / 21卷 / 11期

关键词：

D O I：

10.1143/JJAP.21.1616

中图分类号：

O59 [应用物理学];

学科分类号：

摘要：

引用

页码：1616 / 1618

页数：3

共 5 条

[1] A STUDY OF THE ETCHING RATE OF SINGLE-CRYSTAL GERMANIUM [J].

CAMP, PR .

[2] THE CHEMICAL POLISHING OF GERMANIUM [J].

IRVING, BA .

[3] FULLY ION-IMPLANTED P+-N GERMANIUM AVALANCHE PHOTO-DIODES [J].

KAGAWA, S ;

KANEDA, T ;

MIKAWA, T ;

BANBA, Y ;

TOYAMA, Y ;

MIKAMI, O .

MORI, Y ;

WATANABE, N .

WALLIS, G ;

WANG, S .