EFFECTIVE MASS AND G-FACTOR OF INTERACTING ELECTRONS IN SURFACE INVERSION LAYER OF SILICON

被引：114

作者：

TING, CS ^{[1
]}

LEE, TK ^{[1
]}

QUINN, JJ ^{[1
]}

机构：

[1] BROWN UNIV,PROVIDENCE,RI 02912

来源：

关键词：

D O I：

10.1103/PhysRevLett.34.870

中图分类号：

O4 [物理学];

学科分类号：

0702 ;

摘要：

引用

页码：870 / 874

页数：5

共 18 条

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LEE TP, TO BE PUBLISHED