MODEL FOR MODULATION DOPED FIELD-EFFECT TRANSISTOR

被引:180
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作者
DRUMMOND, TJ
MORKOC, H
LEE, K
SHUR, M
机构
[1] UNIV ILLINOIS, COORDINATED SCI LAB, URBANA, IL 61801 USA
[2] UNIV MINNESOTA, DEPT CENT, MINNEAPOLIS, MN 55455 USA
来源
ELECTRON DEVICE LETTERS | 1982年 / 3卷 / 11期
关键词
D O I
10.1109/EDL.1982.25593
中图分类号
TM [电工技术]; TN [电子技术、通信技术];
学科分类号
0808 ; 0809 ;
摘要
引用
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页码:338 / 341
页数:4
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